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文檔簡介
1、隨著信息產業(yè)和互聯(lián)網產業(yè)的高速發(fā)展,數據需求量越來越大。硬盤作為數據存儲行業(yè)中最重要的部分已經不可替代,提高磁記錄存儲密度成為適應信息產業(yè)高速發(fā)展的途徑之一。目前,商業(yè)化磁記錄技術已經從水平磁記錄順利過渡到了垂直磁記錄,存儲密度超越了150 Gbit/in2,實驗室范圍內已經達到了614.4Gbit/in2。雖然離垂直磁記錄的極限密度1-1.5 Tbit/in2已經近在咫尺,但記錄密度的進一步提高仍然依賴于新的介質結構設計和新的記錄技術
2、的共同進步。制約垂直磁記錄密度提高的主要因素是超順磁效應,為了克服晶粒減小所帶來的熱擾動性的影響,需要尋找高磁晶各向異性的材料作為記錄介質。尋找新的記錄介質、改善已有記錄介質的性能成為本文所研究的主要目的。
下面是本論文研究的主要內容:
1、高磁晶各向異性MnAl薄膜的研究:鐵磁性τ-MnAl具有較高的磁晶各向異性常數(KU=1.7×107 erg/cm3),是理想的磁記錄介質之一。本文研究主要是通過兩個方面改善樣品
3、的磁性能。首先,利用制備楔形膜的方式來精確控制τ-MnAl產生的元素配比,并且通過觀測其△M曲線研究MnAl顆粒間的相互作用方式和磁性翻轉模式。其次,通過制備緩沖層引導后續(xù)薄膜生長,在得到較好τ-MnAl緩沖層的條件下,制備出了具有較好磁性能的τ-MnAl樣品。
2、FePt基交換耦合結構和梯度型結構介質研究:雖然FePt具有很高磁晶各向異性,但其矯頑力較大,使記錄信息很難寫入。在保持熱穩(wěn)定性的條件下有效降低寫入場是我們研究的
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