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1、鐵磁半導(dǎo)體是一種新型的磁性材料,其特點在于它的磁性特點和半導(dǎo)體特點互作用,能夠把信息處理和數(shù)據(jù)儲存統(tǒng)一于同一個材料中,對鐵磁半導(dǎo)體構(gòu)成的各種磁性隧道結(jié)的研究是凝聚態(tài)領(lǐng)域熱門課題之一。K·p模型在處理半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)中空穴傳輸問題時非常有效,它是K·p微擾方法在半導(dǎo)體多帶模型下,處理隧道結(jié)中載流子輸運問題的具體應(yīng)用,同時也是傳輸矩陣方法的一種。
在本文中,我們主要研究了由磁性半導(dǎo)體構(gòu)成的單勢壘隧道結(jié)以及雙勢壘隧道結(jié)的物理性質(zhì)。用
2、K·p模型的方法研究了在GaMnAs/AlAs/GaMnAs隧道結(jié)隧道磁電阻效應(yīng),計算了各種空穴的透射系數(shù)隨能量的變化。給出了自旋量子軸的轉(zhuǎn)換矩陣,計算了TMR隨兩層GaMnAs的磁化方向的夾角θ的變化,得到了TMR與sin2(θ/2)的線性依賴關(guān)系,并與散射的方法進行了比較,理論上進行了預(yù)測。用K·p模型的方法研究了在GaMnAs/AlAs/GaAs/AlAs/GaMnAs隧道結(jié)隧道磁電阻效應(yīng),計算了各種空穴的透射系數(shù)隨能量的變化,計
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