氧化物磁性半導(dǎo)體的電場(chǎng)調(diào)控磁性研究.pdf

1、近年來(lái)，信息存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展日新月異。眾多研究人員對(duì)具有高密度、高速度、非易失、低能耗等優(yōu)點(diǎn)的新概念隨機(jī)存儲(chǔ)器進(jìn)行了廣泛而深入的探索，并且取得一定成果。其中，磁電耦合效應(yīng)在阻變存儲(chǔ)器中的實(shí)現(xiàn)引起人們的極大興趣，它不僅為阻變存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)多級(jí)存儲(chǔ)的發(fā)展提供了動(dòng)力，同時(shí)還為多功能器件的發(fā)展打下良好的基礎(chǔ)。
　　通常阻變存儲(chǔ)器在連續(xù)擦寫(xiě)過(guò)程中由電流引起的焦耳熱效應(yīng)是不容忽視的，它會(huì)使器件的工作溫度升高，器件的高低組態(tài)有可能發(fā)生退化，這對(duì)降低能

2、量損耗和延長(zhǎng)器件的使用壽命很不利。知道，有電場(chǎng)存在就一定有電壓卻不一定有電流，如果可以在阻變存儲(chǔ)器中實(shí)現(xiàn)通過(guò)外加電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)對(duì)其磁性的調(diào)控，那將不僅降低能量損耗，延長(zhǎng)器件使用壽命，同時(shí)為未來(lái)研究存儲(chǔ)器件中的磁電耦合效應(yīng)提供了一個(gè)新的思路。
　　本論文主要進(jìn)行了以下研究:
　　首先，通過(guò)外接高壓極化電源在平行極板間產(chǎn)生勻強(qiáng)電場(chǎng)。然后，將制備的薄膜樣品靜置于勻強(qiáng)電場(chǎng)中一段時(shí)間，進(jìn)行磁性測(cè)量，最后結(jié)合實(shí)驗(yàn)結(jié)果討論了外加電場(chǎng)對(duì)氧化

3、物磁性半導(dǎo)體的磁性調(diào)控。
　　1、利用磁控濺射鍍膜技術(shù)分別制備了不同濺射氬氧比和不同襯底的ZnO薄膜樣品，研究電場(chǎng)對(duì)ZnO/substrate結(jié)構(gòu)的磁性調(diào)控。通過(guò)一系列的研究，得出電場(chǎng)對(duì)不同生長(zhǎng)條件下的ZnO薄膜的磁性調(diào)控不同，為尋找理想的樣品制備條件奠定了基礎(chǔ);同時(shí)改進(jìn)實(shí)驗(yàn)樣品結(jié)構(gòu)，加入頂電極，進(jìn)一步研究外加電場(chǎng)對(duì)阻變存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的磁性調(diào)控。
　　2、利用磁控濺射鍍膜技術(shù)分別制備了不同Co摻雜比例、不同生長(zhǎng)溫度、不同濺射時(shí)間