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1、稀磁半導(dǎo)體材料在電子器件的制造中有著巨大的應(yīng)用價(jià)值,它結(jié)合了磁性材料的存儲(chǔ)功能以及半導(dǎo)體材料的邏輯處理功能。傳統(tǒng)的稀磁半導(dǎo)體材料通常具有優(yōu)秀的低溫性能,但實(shí)際應(yīng)用要求盡可能提高材料的居里溫度,增大材料的室溫可操作性是一項(xiàng)重要任務(wù)。
電場(chǎng)調(diào)控材料的磁性在信息存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域有著深遠(yuǎn)的物理意義,越來(lái)越多的研究者致力于研究新型的電控磁現(xiàn)象以及研發(fā)可用于電控磁領(lǐng)域的新型材料。
多鐵異質(zhì)結(jié)構(gòu)和稀磁半導(dǎo)體材料一直都是電控磁領(lǐng)域的研究
2、熱點(diǎn)內(nèi)容。自從研究者Ohno H等人[101]最早在實(shí)驗(yàn)中觀察到電場(chǎng)改變了(InMn)As的磁性特征后開(kāi)始,對(duì)稀磁半導(dǎo)體材料的開(kāi)發(fā)和電控磁現(xiàn)象的研究一直持續(xù)了幾十年。
在科學(xué)技術(shù)發(fā)展要求的背景之下,本論文主要是針對(duì)幾種稀磁半導(dǎo)體材料以及具有實(shí)現(xiàn)電場(chǎng)調(diào)控磁性可能性的材料展開(kāi)初步的研究。研究中需要解決的主要問(wèn)題有:1.成功制備出多鐵異質(zhì)結(jié)構(gòu)并能夠利用電場(chǎng)調(diào)控其磁性;2.首先能成功制備出具有較高居里溫度的稀磁半導(dǎo)體,其次研究電場(chǎng)對(duì)其
3、磁性的影響,初步探究稀磁半導(dǎo)體電控磁性的可能性。
本論文的緒論部分主要介紹了稀磁半導(dǎo)體材料的研究進(jìn)展,著重介紹了砷化鎵基稀磁半導(dǎo)體以及銻化銦基稀磁半導(dǎo)體的研究進(jìn)展以及稀磁半導(dǎo)體材料電控磁現(xiàn)象的研究進(jìn)展。還介紹了多鐵異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電控磁現(xiàn)象的研究進(jìn)展。
之后概述了當(dāng)前薄膜樣品的主要制備技術(shù)以及對(duì)樣品進(jìn)行測(cè)試和表征的方法。
本論文的主要實(shí)驗(yàn)工作如下:
多鐵異質(zhì)結(jié)構(gòu)部分主要是通過(guò)磁控濺射方法在鐵電性襯底PM
4、N-PT上生長(zhǎng)制備了[FeCo/Ag]5納米磁性多層膜。將鐵電材料與鐵磁性材料相結(jié)合,制備[FeCo/Ag]5/PMN-PT出多鐵異質(zhì)結(jié)構(gòu),研究體系的磁電耦合效應(yīng)。通過(guò)對(duì)體系施加電場(chǎng),研究電場(chǎng)對(duì)異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系磁性的影響和調(diào)控。實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)電場(chǎng)的施加可以使[FeCo/Ag]5/PMN-PT體系的磁性產(chǎn)生較大的變化,可以通過(guò)對(duì)電壓的調(diào)節(jié)實(shí)現(xiàn)對(duì)[FeCo/Ag]5/PMN-PT多鐵異質(zhì)結(jié)構(gòu)磁性的調(diào)控。之后研究了電壓對(duì)[FeCo(60s)/Ag(2
5、s)]5/PMN-PT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的剩余磁化強(qiáng)度的影響,實(shí)現(xiàn)了電壓可對(duì)結(jié)構(gòu)的剩磁進(jìn)行調(diào)控。
之后稀磁半導(dǎo)體部分的研究主要介紹了對(duì)砷化鎵(GaAs)基稀磁半導(dǎo)體和銻化銦(InSb)基稀磁半導(dǎo)體材料磁性的實(shí)驗(yàn)工作。
在砷化鎵(GaAs)基稀磁半導(dǎo)體材料的研究中:
1.向幾組砷化鎵塊狀晶體中通過(guò)離子注入的手段分別單獨(dú)注入了不同劑量的鉻(Cr)元素和不同劑量的鈦(Ti)元素后,我們發(fā)現(xiàn)在室溫條件下,樣品即具有了磁性。并
6、且對(duì)每種注入元素而言,材料的磁性都是隨著離子注入劑量的增大而增大;對(duì)樣品的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征,可以說(shuō)是成功地獲得了室溫具有磁性的砷化鎵(GaAs)基稀磁半導(dǎo)體材料;
2.對(duì)進(jìn)行了離子注入的樣品GaCrAs和GaTiAs進(jìn)行了快速低溫退火處理,測(cè)量退火對(duì)樣品磁性的影響,發(fā)現(xiàn)退火會(huì)使離子注入的樣品的磁性減弱。
在銻化銦(InSb)基稀磁半導(dǎo)體材料的研究中:
1.向幾組銻化銦塊狀晶體中通過(guò)離子注入的方法分別單獨(dú)注入了
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