鎂合金微弧氧化陶瓷層的結(jié)合強(qiáng)度及其致密性的研究.pdf

1、本文采用微弧氧化法在MB8鎂合金表面原位生長(zhǎng)一層陶瓷層，通過剪切試驗(yàn)及對(duì)試樣不同斷裂面微觀形貌的分析，研究了陶瓷層的結(jié)合強(qiáng)度及影響因素；利用電擊穿試驗(yàn)和SEM分析了能量參數(shù)對(duì)陶瓷層絕緣強(qiáng)度的影響；采用鹽霧腐蝕試驗(yàn)和X射線衍射等方法，探討了鎂合金微弧氧化陶瓷層的鹽霧腐蝕機(jī)理及其影響因素；對(duì)微弧氧化陶瓷層的絕緣強(qiáng)度和耐蝕性之間的內(nèi)在關(guān)系進(jìn)行了分析和討論。 研究表明，陶瓷層的結(jié)合強(qiáng)度包括膜基結(jié)合強(qiáng)度和陶瓷層自身的內(nèi)聚力，其隨電流密度和

2、溶液電導(dǎo)率的增加呈降低趨勢(shì)；隨處理時(shí)間的延長(zhǎng)，結(jié)合強(qiáng)度呈現(xiàn)先增大后減小的趨勢(shì)，并且在處理30 min左右時(shí)結(jié)合強(qiáng)度值較高。微弧氧化過程中能量越高，則陶瓷層的微冶金結(jié)合程度越高，其膜基結(jié)合強(qiáng)度也越高；但能量過大會(huì)影響陶瓷層的致密度，從而降低陶瓷層的內(nèi)聚力。陶瓷層的絕緣強(qiáng)度隨電流密度和占空比的增加呈減小趨勢(shì)，但隨頻率的增加呈增大趨勢(shì)；通過控制不同生長(zhǎng)階段能量的大小可以得到致密性好、絕緣強(qiáng)度高的陶瓷層。陶瓷層的腐蝕類型為點(diǎn)蝕，其腐蝕過程為孔蝕