2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、寬帶Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體材料，尤其是ZnSe和ZnTe及其合金具有寬帶隙、直接帶躍遷、激子束縛能大等優(yōu)點(diǎn)而作為藍(lán)和藍(lán)綠發(fā)光、激光以及在該波段響應(yīng)的光學(xué)雙穩(wěn)和光學(xué)非線性的重要候選材料。以往的寬帶Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體都是以GaAs為襯底材料的，這就造成了寬帶Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體光電子材料與Si基微電子技術(shù)的分離。為了解決這一問(wèn)題，人們嘗試在Si襯底上進(jìn)行光子材料的制備。本文中，我們利用ZnO與Si襯底上氧化層—SiO_x有很好的浸潤(rùn)性這一特點(diǎn)，采用ZnO作為

2、緩沖層，用低壓-金屬有機(jī)物氣相沉積(LP-MOCVD)設(shè)備在Si襯底上生長(zhǎng)ZnSe和ZnTe薄膜以及ZnCdSe／ZnSe和ZnCdTe／ZnTe量子阱結(jié)構(gòu)，并對(duì)其發(fā)光特性進(jìn)行了研究，獲得的主要研究結(jié)果如下：1、在Si襯底上獲得了較高質(zhì)量的ZnO薄膜。采用對(duì)Si襯底進(jìn)行氮化的方法，利用MO-PECVD生長(zhǎng)ZnO薄膜，其XRD譜的FWHM為0.20°。采用電子束蒸發(fā)的方法在Si襯底上生長(zhǎng)ZnO薄膜，通過(guò)退火實(shí)驗(yàn)，得到了最佳的退火條件。2、

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