ZnSe的低維生長(zhǎng)與光學(xué)特性.pdf_第1頁(yè)
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1、分類(lèi)號(hào)：鹽!!秘密：至壘魚(yú)UDC：‘陽(yáng)編號(hào)：功II叫f0ZnSe的低維生長(zhǎng)與光學(xué)特性L(fǎng)OWDIMENSIONALGROWTHoFZnSeANDOPTICALCHAItACTERlSTIC學(xué)位授予單位及代碼：籃墨理王盤(pán)芏f!Q!鰻2學(xué)科專(zhuān)業(yè)名稱(chēng)及代碼；越魁物顯董出生(Q8Q墊!j研究方向：盤(pán)皇功薤晶佳撾掛申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：殛土指導(dǎo)教師：塞攫教授研究生：奎曉據(jù)論文起止時(shí)同：2QlQ：8=2Q1l。i2摘要ZnSe屬直接帶隙IIV1族的半導(dǎo)體晶體

2、，具有紅外波段透射率高、禁帶寬度大等諸多優(yōu)良的光學(xué)特性在紅外窗口材料、疊層多結(jié)太陽(yáng)能電池和電致發(fā)光器件等方面有著廣泛的應(yīng)用。目前ZnSe薄膜材料的應(yīng)用要遠(yuǎn)遠(yuǎn)廣泛于其他形式的ZnSe材料。擁有著廣闊的發(fā)展前景，在光電器件方面?zhèn)涫荜P(guān)注。本文采用電化學(xué)沉積方法從ZnS04和Se02的電解溶液中在ITO導(dǎo)電玻璃基底上生長(zhǎng)制各出Zllse薄膜，井研究了電沉積工藝參數(shù)，包括皿0巾(s帕3。)濃度比、電流密度、溫度、PH值對(duì)ZnSe薄膜晶體生長(zhǎng)的影響

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