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文檔簡(jiǎn)介
1、一維納米材料由于其特殊而優(yōu)異的光電性能和在納米光電子器件領(lǐng)域的潛在應(yīng)用而受到人們的廣泛關(guān)注。影響其優(yōu)異光電性能的因素有很多如材料結(jié)構(gòu)、形貌、缺陷、晶格振動(dòng)等,其中材料的晶格振動(dòng)和光電特性密切相關(guān),對(duì)材料的物性甚至基于材料的器件的性能都有著很重要的影響。晶格振動(dòng)也是研究固體宏觀性質(zhì)和微觀過程的重要基礎(chǔ);而拉曼散射是研究晶格振動(dòng)特性十分重要的手段。通過拉曼光譜可以得到材料的對(duì)稱性,組分,晶格動(dòng)力學(xué),結(jié)構(gòu)相變,應(yīng)力以及態(tài)密度等信息。
2、 本論文以ZnSe,Ge,CdSe為原材料,通過一步熱蒸發(fā)法分別制備出ZnSe納米線、ZnSe納米帶、Ge/GeSe異質(zhì)結(jié)納米線,并用變溫拉曼譜研究其振動(dòng)特性。
本文主要的內(nèi)容如下:
1.闡述了拉曼光譜的基本原理,綜述了它在在一維納米線的振動(dòng)特性研究的進(jìn)展。
2.以ZnSe粉末為原材料,利用一步熱蒸發(fā)法合成了ZnSe納米線,利用變溫拉曼譜研究其振動(dòng)特性。結(jié)果發(fā)現(xiàn),ZnSe納米線的TO和L0振動(dòng)模都隨著溫度的
3、升高出現(xiàn)紅移和展寬。一些倍頻聲學(xué)模式和多聲子散射模式僅在高溫下出現(xiàn)。TA(L)模的散射強(qiáng)度隨溫度的升高而升高,而表面模在溫度高于296K時(shí)消失。
3.在上述工作的基礎(chǔ)上,以ZnSe粉末為原材料,也制備出ZnSe納米帶。建立了Gmneisen常數(shù)與振動(dòng)模式之間的定量關(guān)系,得出ZnSe納米帶的Gmneisen常數(shù)。進(jìn)一步計(jì)算得出ZnSe納米帶的熱膨脹系
4.以Ge和CdSe(或ZnSe)粉末為原材料,合成了Ge/GeSe
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