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1、ZnSe是一種重要的直接帶隙的Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體材料,在0.5~22.0μm波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有良好的透射性能和穩(wěn)定的折射性能,是制造光電器件的理想材料之一。本文采用水熱法制備ZnSe納米晶體,以硒源的不同組成了四種實(shí)驗(yàn)方案,分別是以硒粉、溶膠硒、硒代硫酸鈉以及亞硒酸鈉為硒源制備ZnSe納米晶體。通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究了反應(yīng)溫度、時(shí)間等條件對(duì)產(chǎn)物的影響,在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中加入可能影響晶體形態(tài)的模板劑等,考察其對(duì)產(chǎn)品的影響,并比較各工藝路線。采用X射線衍射儀(XR
2、D)、X射線光電子能譜儀(XPS)、掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)等研究了所制備粉體的相結(jié)構(gòu)、組成以及形貌。
實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,由這四種方案所制備的ZnSe納米晶體均為立方相閃鋅礦結(jié)構(gòu),得到的ZnSe納米晶體粒度最小的是以硒代硫酸鈉為硒源的方案。以硒代硫酸鈉為硒源,以乙酸鋅作為鋅源,加入還原劑,180℃反應(yīng)12h,可以得到粒度較小的ZnSe納米球。但此方案若要制備除球形以外的其它形貌的晶體時(shí),不能依靠加入模
3、板劑的方法。此方案的一大優(yōu)點(diǎn)是Na2SeSO3毒性低,但是卻不穩(wěn)定,一段時(shí)間后便會(huì)分解。由于Na2SeSO3不穩(wěn)定,可以采用Na2SeO3為硒源。以Na2SeO3為硒源,以乙酸鋅作為鋅源,NaOH水溶液為反應(yīng)介質(zhì),B為配位模板劑,160℃反應(yīng)24h時(shí)可以得到ZnSe納米棒,并且可以通過(guò)改變反應(yīng)溫度達(dá)到改變產(chǎn)物的形貌的目的。若要獲得粒度較小的ZnSe納米晶體,并且能夠容易控制其形貌,可以采用以溶膠硒為硒源的方案。以溶膠硒為硒源、以Zn(A
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