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文檔簡介
1、進(jìn)入超深亞微米階段后,集成電路制造工藝中普遍采用了亞波長光刻技術(shù)。然而隨著特征尺寸逐漸接近光刻分辨率極限,制造過程中會發(fā)生光學(xué)鄰近效應(yīng)現(xiàn)象,導(dǎo)致硅片上的成像與原始版圖有著巨大的差異,從而嚴(yán)重影響了集成電路的電學(xué)性能和成品率。為此,人們提出了分辨率增強(qiáng)技術(shù)。分辨率增強(qiáng)技術(shù)的廣泛應(yīng)用一定程度上解決了亞波長光刻中的許多可制造性問題,因此成為了人們研究的重點(diǎn)。 空間濾波技術(shù)主要是指離軸照明技術(shù)和光瞳濾波技術(shù),它們都是通過改變?nèi)胪w或出瞳
2、體的物體的頻譜的分布,達(dá)到降低低頻分量,相對提高高頻分量,最終提高光強(qiáng)對比度,從而提高光刻分辨率。 光刻模型是分辨率增強(qiáng)技術(shù)的基礎(chǔ),本文主要研究利用空間濾波技術(shù)提高光刻模型的精度,從而提高光刻分辨率。本文先介紹了集成電路的制造過程和光刻工藝的技術(shù)背景,提出了自主開發(fā)的光刻模擬工具Litholab,并以Litholab為研究平臺,深入研究了光源模型的優(yōu)化策略和光瞳函數(shù)的優(yōu)化策略,提出了使用連續(xù)函數(shù)表征的光源模型和考慮了像差因素的光
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