宏觀尺度納米結(jié)構(gòu)陣列的電化學(xué)合成及其原型器件研究.pdf

1、本文利用單層膠體晶體模板技術(shù)，結(jié)合電化學(xué)沉積等方法，合成宏觀尺度納米結(jié)構(gòu)陣列，研究其結(jié)構(gòu)相關(guān)的物性和原型器件。著重于探索新型的膠體晶體刻蝕技術(shù)，尋求宏觀尺度納米結(jié)構(gòu)陣列的控制合成，考察陣列體系結(jié)構(gòu)相關(guān)的物性，探討基于納米結(jié)構(gòu)陣列的原型器件。主要內(nèi)容與創(chuàng)新點(diǎn)如下：
　　 ⑴構(gòu)筑技術(shù)基于單層膠體晶體模板，發(fā)展了一步電沉積法，提出了兩步復(fù)型法，設(shè)計(jì)了逐步合成法；合成了一系列新穎的納米結(jié)構(gòu)陣列，如空心球類、分級(jí)結(jié)構(gòu)類、雙周期類陣列等等。

2、陣列體系具有宏觀尺度，為物性研究提供了便利，為器件化提供了近期可實(shí)現(xiàn)性。
　　 ⑵物性研究合成了具有光子帶隙行為的Ni(OH)2單層微/納空心球陣列，發(fā)現(xiàn)其帶隙位置的調(diào)制規(guī)律、與入射角無關(guān)的行為以及對(duì)環(huán)境氣氛的敏感特性，進(jìn)而提出了等效雙層光子晶體模型，揭示了光子帶隙與入射角無關(guān)的本質(zhì)，為解決傳統(tǒng)光子晶體帶隙位置的角度相關(guān)性這一應(yīng)用難題提供了新途徑。研究了Au微/納結(jié)構(gòu)顆粒陣列的表面增強(qiáng)拉曼散射(SERS)效應(yīng)，發(fā)現(xiàn)其強(qiáng)的活性以及