二氧化錫基導(dǎo)電填料制備技術(shù)研究.pdf

1、本文采用共沉淀法制備了系列二氧化錫基導(dǎo)電粉體,通過多種手段對粉體進(jìn)行表征,研究了制備工藝對粉體電阻率等性能的影響.1、以SnCl<,4>·5H<,2>O、SbCl<,3>和NaOH等為主要原料,運(yùn)用共沉淀方法制備了銻摻雜SnO<,2>(ATO)粉體,采用TG—DSC、XRD、TEM等手段對粉體結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征,并采用自制裝置測量了粉體電阻率.仔細(xì)研究了煅燒溫度、反應(yīng)pH值、分散劑等對粉體粒子粒度及分散性的影響,考察了銻摻雜量、共沉淀?xiàng)l件、

2、煅燒溫度等對粉體電阻率的影響.結(jié)果表明,制備的ATO粉體粒子分布均勻、平均粒度可小于300nm,粉體電阻率小于10Ω·cm.2、以超細(xì)TiO<,2>為基材,采用包覆ATO導(dǎo)電層的方法制備了TiO<,2>/Sb<,x>Sn<,1-x>O<,2>復(fù)合導(dǎo)電粉體,運(yùn)用XRD、TEM、FTIR、XPS等手段對復(fù)合粒子進(jìn)行了表征,研究了SnCl<,4>·5H<,2>O用量、銻摻雜量、包覆反應(yīng)條件及煅燒溫度等因素對粉體電阻率的影響.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,制備

3、的復(fù)合粉體電阻率可低于50Ω·cm.3、以云母為基材,制備了Mica/Sb<,x>Sn<,1-x>O<,2>復(fù)合導(dǎo)電粉體,重點(diǎn)研究了預(yù)處理工藝、云母粉體粒度、分散方式等對粉體電阻率的影響.結(jié)果表明,復(fù)合粉體電阻率可低于100Ω·cm.4、以SnCl<,4>·5H<,2>O、H<,3>PO<,4>和NaOH等為主要原料,運(yùn)用共沉淀法制備了白色磷摻雜SnO<,2>(PTO)粉體,通過TG—DSC、XRD、FTIR、TEM等手段對其進(jìn)行了表征