噴霧熱解法制備P型透明導(dǎo)電的二氧化錫薄膜.pdf

1、本文闡述了噴霧熱解法制備p型摻銦氧化錫透明導(dǎo)電薄膜的工藝及性能；并且綜合介紹了制備SnO2薄膜的各種工藝過程及其優(yōu)缺點(diǎn)。概述了目前SnO2薄膜的研究狀況及其發(fā)展前景，以及本文采用噴霧熱解法的目的。本文主要從以下幾個方面對P型SnO2做了研究：1)摻雜元素含量(銦，鎵)對薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、導(dǎo)電類型和載流子濃度以及光吸收特性等性能的影響；2)熱處理溫度制度對以上薄膜性能的影響。 研究結(jié)果表明，1)當(dāng)In/Sn具有合適比時，在合適的熱處

2、理溫度下，薄膜具有空穴(p型)導(dǎo)電特征，且保持金紅石結(jié)構(gòu)；In/Sn比例過低(＜0.06)，由于本征缺陷，其多數(shù)載流子為電子，在自補(bǔ)償效應(yīng)下，薄膜仍為電子導(dǎo)電；比例過高(＞0.25)，薄膜顯示類似于ITO薄膜電子導(dǎo)電特征。對于In/Sn=0.2的薄膜，但當(dāng)熱處理溫度高于550℃時，薄膜為p型導(dǎo)電；在溫度到達(dá)700℃時，薄膜中空穴濃度達(dá)到飽和數(shù)值為4×1018cm-3。與此同時，透射率在可見光范圍內(nèi)仍高達(dá)80％以上，電導(dǎo)率為1.49q×1