超聲噴霧熱解法制備ZnO基透明導(dǎo)電薄膜及其結(jié)構(gòu)和性能研究.pdf

1、ZnO基透明導(dǎo)電薄膜作為一種新型的 II-VI族直接寬禁帶氧化物半導(dǎo)體薄膜材料,因其優(yōu)異的光電、壓電特性以及高化學(xué)穩(wěn)定性和高性能價(jià)格比而具有廣闊的應(yīng)用前景,被認(rèn)為是繼In2O3:Sn(ITO)薄膜之后最有發(fā)展?jié)摿Φ耐该鲗?dǎo)電薄膜材料之一。
　　本文利用自制的超聲噴霧熱解(USP)設(shè)備以乙酰丙酮鋅的水-乙醇混合溶液為前軀體溶液,用乙酰丙酮鋁、乙酰丙酮鎂作為摻雜劑,在玻璃襯底上分別制備了具有擇優(yōu)取向生長(zhǎng)的ZnO薄膜、ZnO:Al(AZO

2、)薄膜和MgxZn1-xO薄膜,并利用X射線(xiàn)衍射儀(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、四探針以及紫外-可見(jiàn)光分光光度計(jì)(UV-Vis spectrometer analysis)等分析測(cè)試手段,研究了制備工藝(襯底溫度、噴口到襯底的距離、前驅(qū)體溶液濃度、沉積時(shí)間、退火溫度等)、摻雜濃度、退火工藝等對(duì)薄膜晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌和光電性能的影響。
　　實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,適當(dāng)?shù)纳L(zhǎng)條件有利于制備高質(zhì)量的 ZnO薄膜:當(dāng)襯底溫度為300℃,噴口

3、-襯底距離為3cm,前驅(qū)體溶液濃度為0.1mol/L,沉積時(shí)間為10min時(shí),制備的ZnO薄膜c軸內(nèi)應(yīng)力較小,晶粒尺寸較大,表面較平整,且具有高度的c軸擇優(yōu)取向。ZnO薄膜在空氣氣氛中退火后晶粒尺寸有所增大,且隨退火溫度升高薄膜的晶粒形狀由長(zhǎng)條狀向圓片狀、棒狀轉(zhuǎn)變。同時(shí),適當(dāng)?shù)耐嘶饻囟瓤商岣弑∧さ慕Y(jié)晶性,但超過(guò)500℃的退火溫度反而會(huì)有損于薄膜的質(zhì)量。此外,隨著退火溫度升高, ZnO薄膜(002)衍射峰的強(qiáng)度增大,但取向性并沒(méi)有相應(yīng)地增

4、強(qiáng)。
　　制備的ZnO:Al薄膜沿(101)晶面擇優(yōu)生長(zhǎng),表面晶粒呈扁豆?fàn)?。ZnO:Al薄膜的方塊電阻隨 Al摻雜濃度的增加,呈現(xiàn)先下降后增大的趨勢(shì),在 Al摻雜濃度為4at％時(shí),ZnO:Al薄膜取得最低方塊電阻4.4kΩ/sq。在真空氣氛中退火可以進(jìn)一步改善薄膜的電學(xué)性能,500℃真空退火后可使薄膜方塊電阻降到106Ω/sq。薄膜在可見(jiàn)光波段的平均透光率在80%左右。而4at%Al摻雜的ZnO:Al薄膜樣品在550~600℃真空

5、退火后,透光率降到60%左右。這是因?yàn)檎婵胀嘶鹛岣吡吮∧ぶ醒蹩瘴坏臐舛?使薄膜的電學(xué)性能提高,光學(xué)性能下降。
　　制備的MgxZn1-xO薄膜仍然保持著ZnO的纖鋅礦結(jié)構(gòu),沒(méi)有MgO相生成,Mg可以有效地溶入ZnO的晶格中。MgxZn1-xO薄膜具有良好的透光性,在可見(jiàn)光波段的光透過(guò)率在85%以上;隨著Mg含量的增加,MgxZn1-xO薄膜的吸收邊出現(xiàn)藍(lán)移現(xiàn)象,禁帶寬度從3.30eV增加到3.54eV,薄膜的透光范圍向紫外區(qū)域擴(kuò)展