磁控濺射法所沉積非晶SiN-,x-O-,y-薄膜的結(jié)構(gòu)分析及光致發(fā)光特性研究.pdf

1、發(fā)展光電子集成技術(shù)需要硅基發(fā)光材料。晶體硅由于是間接帶隙材料，其帶間輻射復(fù)合效應(yīng)非常低，難于達(dá)到發(fā)光器件的要求，這使得制備高效、穩(wěn)定的Si基發(fā)光材料成為當(dāng)前研究的一個熱點(diǎn)。SiNxOy薄膜具有優(yōu)良的物理性能和光電性能，所以這種薄膜已經(jīng)成為研究硅基發(fā)光的侯選材料。 本文采用磁控濺射法，在恒定濺射功率和襯底溫度的前提下，通過改變?yōu)R射氣氛中Ar、N2與O2的通入量，在單晶硅襯底上生長非晶SiNxOy薄膜，在N2保護(hù)下對樣品進(jìn)行高溫退火

2、。通過對退火后樣品的紅外吸收（FTIR）光譜和光致發(fā)光（PL）光譜的分析發(fā)現(xiàn)：退火后樣品在500cm-1～1500 cm-1范圍內(nèi)存在一個較強(qiáng)的吸收譜帶，該吸收譜帶被認(rèn)為來自于Si-N鍵與Si-O-Si鍵的伸縮振動吸收；樣品經(jīng)高溫退火后，在發(fā)光譜的可見光波段300nm到800nm范圍內(nèi)出現(xiàn)了一個較強(qiáng)的發(fā)光峰，并且隨著退火溫度的升高，發(fā)光峰的強(qiáng)度逐漸減弱。保持濺射氣氛中N2的通氣量不變，隨著O2通氣量的增加，所沉積的SiNxOy非晶薄膜成