MEMS封裝中的倒裝芯片凸點(diǎn)技術(shù).pdf

1、本論文在簡(jiǎn)短概述了倒裝芯片技術(shù)和微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的特點(diǎn)和國內(nèi)外概況后,選定了一套凸點(diǎn)制備的實(shí)現(xiàn)方案.通過實(shí)驗(yàn)摸索得到了最佳的工藝參數(shù),完成了凸點(diǎn)制備后,并對(duì)凸點(diǎn)系統(tǒng)的各種性能進(jìn)行了研究.首先,介紹了濺射方法實(shí)現(xiàn)凸點(diǎn)下合金層(Under Bump Metallurgy-UBM)的制備工藝.在討論UBM的功能與結(jié)構(gòu)后,選定了一個(gè)簡(jiǎn)單且功能完善的UBM序列.對(duì)磁控濺射的原理、設(shè)備特征以及靶材規(guī)格做了簡(jiǎn)單介紹.通過實(shí)驗(yàn)確定各種UBM金屬膜

2、的濺射功率、氣壓以及沉積速率.結(jié)果表明:磁控濺射鍍膜中沉積速率是隨工作氣壓的增大而先增大后減小.工作氣壓存在一個(gè)最佳值,當(dāng)在這個(gè)氣壓下工作時(shí),沉積速率將達(dá)到最大.其次,本文介紹了利用甲磺酸錫鉛合金鍍液制備電鍍凸點(diǎn)的工藝過程,詳細(xì)討論了影響電鍍質(zhì)量的工藝參數(shù):表面光亮度、分散及覆蓋能力、沉積速率等.研究發(fā)現(xiàn),電流密度D<,k>與最低攪拌轉(zhuǎn)速密切相關(guān).在不同的D<,k>和沉積時(shí)間下,鍍液的分散能力較為穩(wěn)定,合金的沉積速率也較為適當(dāng).此外,在