硅芯片封裝中芯片崩裂的改善.pdf

1、隨著集成電路向小型化、超薄化發(fā)展，以及企業(yè)對于生產(chǎn)成本要求的降低，都使得其內(nèi)在芯片的尺寸越來越小，單片晶圓可容納的芯片越來越多，這種改變對半導(dǎo)體封裝工藝帶來了比較大的挑戰(zhàn)。對于企業(yè)來說，如果是同樣的芯片封裝形式，從成本的角度考慮，不可能因為芯片外形尺寸的變化而重新添置或者更換現(xiàn)有設(shè)備。大多數(shù)企業(yè)使用的都是在加工制造0.18μm(即180nm)芯片時代的設(shè)備，但如果要使用這些設(shè)備去加工制造65nm甚至是45nm芯片時，很多工藝問題就會凸顯

2、。崩裂就是其中一個工藝問題。
　　 本文主要是對生產(chǎn)工藝進(jìn)行改進(jìn)和優(yōu)化，不同于以往很多文獻(xiàn)資料，僅僅是針對理論模型進(jìn)行研究探討。通過對崩裂產(chǎn)生的原因及其機理進(jìn)行分析，確定了在后道封裝過程中的劃片站和芯片粘合站發(fā)生崩裂的根本原因，并針對老型號的切割刀無法適用于新的窄切割槽產(chǎn)品的問題以及新產(chǎn)品與老產(chǎn)品的尺寸不同導(dǎo)致芯片粘合中的wafer粘膜擴張參數(shù)無法適用于新產(chǎn)品的問題，研究、分析且成功導(dǎo)入了在劃片站時使用的一種新型切割刀，并通過一