高電荷態(tài)離子與固體表面相互作用的研究.pdf

1、本工作采用能量范圍從180kev到380kev的低能高電荷態(tài)Ar<'q+>(q=12-16)離子轟擊鋁靶，測(cè)量Al的k殼層x射線發(fā)射，對(duì)x射線的產(chǎn)生過(guò)程進(jìn)行了研究。在實(shí)驗(yàn)上得到鋁的k殼層x射線的產(chǎn)額和電離截面。 在二體碰撞理論和分子軌道理論基礎(chǔ)上，建立一個(gè)以2pπ-2p σ耦合為框架的模型，對(duì)鋁的k殼層x射線發(fā)射機(jī)制給出理論解釋。即帶有2p殼層空穴的氬離子靠近靶的鋁原子時(shí)，鋁原子與氬離子形成一個(gè)聯(lián)合原子態(tài)。鋁的1s殼層電子通過(guò)2

2、pπ-2p σ耦合轉(zhuǎn)移到氬的2p空穴上。鋁的1殼層電子退激到k殼層上，產(chǎn)生鋁的k殼層x射線發(fā)射。在這個(gè)框架下通過(guò)計(jì)算得到x射線產(chǎn)額的理論值和鋁k殼層電離截面的理論值。 實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)在這個(gè)2pπ-2p σ耦合結(jié)構(gòu)里等到很好的解釋，模型的計(jì)算結(jié)果和實(shí)驗(yàn)觀察值是相符合的。并定性解釋了為什么在相同入射能量作用下，Ar<'12+>，Ar<'14+>和Ar<'15+>作用下x射線的產(chǎn)額幾乎一樣，而Ar<'13+>作用下的x射線的產(chǎn)額相對(duì)較大，A