低能碳分子與硅表面相互作用的模擬研究.pdf

1、該文改進(jìn)了分子動(dòng)力學(xué)模擬軟件,用以模擬荷能碳團(tuán)簇在硅表面和金剛石表面的化學(xué)吸附以及DLC薄膜的合成過程.主要目的是研究沉積團(tuán)簇的初始能量對(duì)DLC薄膜性質(zhì)的影響.另外,我們還用蒙特卡羅方法模擬了小碳分子在硅表面擴(kuò)散的過程.這是接觸外延生長的關(guān)鍵.計(jì)算中采用了多體Brenner勢(shì)和Tersoff勢(shì)分別描述C-C,Si-Si和C-Si原子間相互作用.我們的主要工作和結(jié)論如下:(1)以飛秒激光脈沖沉積為實(shí)驗(yàn)根據(jù)研究了碳團(tuán)簇的注入能量對(duì)沉積的DL

2、C薄膜性質(zhì)的影響.選擇C<,2>作為沉積源,晶體硅作為襯底,入射能量Ein從0.1到60 eV.先用分子動(dòng)力學(xué)方法對(duì)PLD生長DLC薄膜的實(shí)驗(yàn)過程進(jìn)行了模擬,分析了不同入射能量下生長的DLC薄膜的結(jié)構(gòu)特征.結(jié)果與實(shí)驗(yàn)符合較好,即較高的注入能量有利于生長致密的DLC薄膜.發(fā)現(xiàn)了在較低的入射能量生長薄膜的過程中空位的形成以及相應(yīng)的表面勢(shì)壘影響高質(zhì)量薄膜的合成.為此設(shè)計(jì)了新的計(jì)算模型:選取了帶有人為缺陷的金剛石(001)-(2×1)表面作為襯

3、底,先計(jì)算它的表面勢(shì)場,然后以不同的入射能量沉積C<,2>.我們觀察到隨著E<,in>的增加,表面原子反沖動(dòng)能和遷移幾率大大增加.當(dāng)E<,in>為60 eV時(shí),表面C原子最大反沖動(dòng)能可達(dá)到8-12 eV,遠(yuǎn)大于缺陷附近的表面勢(shì)壘.這表明隨著E<,in>的增加,由碰撞引起的表面原子的活性對(duì)提高DLC薄膜的密度,增加SP<'3>含量起著重要作用.(2)用運(yùn)動(dòng)學(xué)蒙特卡羅方法對(duì)C原子,C<,2>分子在硅襯底上的表面擴(kuò)散進(jìn)行了模擬,得出了它們?cè)谝?/p>