P型硅納米梁壓阻特性實(shí)驗(yàn)研究.pdf

1、納機(jī)電系統(tǒng)(NEMS)從微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)發(fā)展而來,NEMS器件相比MEMS器件具有更高的諧振頻率和Q值,更高的靈敏度,更高的集成度,更低的功耗。因而具有很大的發(fā)展?jié)摿?。在超小力、位移探測(cè),生化檢測(cè),光學(xué)控制,射頻通信等領(lǐng)域都有很廣闊的應(yīng)用前景。
　　 單晶硅是現(xiàn)代微電子工藝的主要原材料,為了能更好的利用現(xiàn)有的工藝線,所以大部分NEMS器件都是在硅材料上制作的。由于雙端固支梁相比懸臂梁在工藝上成品率更高,而且更容易獲得較高的

2、諧振頻率,所以本文選擇基于硅材料的雙端固支梁作為研究對(duì)象。
　　 首先利用AFM施加集中載荷使梁彎曲,利用半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀測(cè)量梁在彎曲時(shí)的電阻值,然后根據(jù)梁上所受力與梁應(yīng)變之間的關(guān)系式,求出梁的應(yīng)變,接著利用應(yīng)變和電阻改變量之間的依賴關(guān)系,計(jì)算得出納米梁的壓阻系數(shù)。測(cè)試樣品是實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有的硅雙端固支壓阻梁。但是由于在壓阻區(qū)域設(shè)計(jì)上存在瑕疵.導(dǎo)致實(shí)驗(yàn)失敗。本文根據(jù)計(jì)算得出的梁上應(yīng)力分布,重新設(shè)計(jì)了壓阻梁,避免了由于全摻雜引起的不同區(qū)