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文檔簡介
1、熱釋電紅外傳感器具有成本低廉、無需制冷及紅外波長無選擇性等優(yōu)點,在紅外探測和紅外成像方面占有極其重要的地位,從而引起越來越多研究者的興趣。 本文采用傳統(tǒng)的固相法制備了熱釋電PZT 陶瓷,通過球磨制得了PZT 陶瓷粉體,以傳統(tǒng)的熱壓工藝制備了PZT/PVDF 復(fù)合熱釋電材料,并系統(tǒng)地研究了PZT/PVDF復(fù)合熱釋電材料地介電、壓電及熱釋電性,計算了其探測率優(yōu)值Fd,并進一步從理論上進行了探討。本文主要研究內(nèi)容如下: 采用傳
2、統(tǒng)的單軸拉伸工藝制備了拉伸的PVDF 薄膜。結(jié)果表明最佳工藝條件是拉伸溫度為80℃,拉伸比R=5,退火溫度是120℃,在此條件下測得PVDF 薄膜具有明顯的鐵電性,熱釋電系數(shù)p=0.3×10-8c/cm2·K,壓電系數(shù)d33=9 PC/N,tanδ=0.015,εr=12。 采用傳統(tǒng)的固相法制備了熱釋電PZT 陶瓷,通過SEM、XRD、XPS 等分析方法,對其所產(chǎn)生的“束腰”消失現(xiàn)象進行了分析。研究結(jié)果表明,過量的Mn 偏析于晶
3、界,使材料的晶界具有P 型導電性,偏析Mn 的量越多,晶界P型導電性越強,氧缺位釘扎電疇的能力下降,電疇容易反轉(zhuǎn),從而導致“束腰”現(xiàn)象的消失。 通過傳統(tǒng)的熱壓工藝制備了0-3 型PZT/PVDF 復(fù)合熱釋電材料,運用SEM、XRD 等分析手段對其表面形貌及微觀結(jié)構(gòu)進行了分析,詳細討論了陶瓷體積分數(shù)、極化強度和極化溫度對其介電、壓電、熱釋電的影響,結(jié)果表明,當陶瓷體積分數(shù)為0.47 時,熱釋電系數(shù)p 及探測率優(yōu)值Fd均達到一個最大
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