2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、多晶硅鍺薄膜在微電子制造、光電集成和薄膜太陽能電池等領域有廣泛的應用。除了在某些方面具有接近單晶SiGe的性能外,多晶SiGe薄膜更具有制造成本低的優(yōu)點。特別是隨著大面積尺寸電子器件的發(fā)展,廉價襯底被廣泛采用,使得各種低溫沉積技術(shù)變得越來越重要。本論文采用等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)結(jié)合A1誘導晶化制備了性能優(yōu)異的多晶SiGe薄膜,主要開展了以下工作: (1)在系統(tǒng)闡述了多晶SiGe薄膜的優(yōu)異性能及其在器件中的應用基礎

2、上,評述了等離子體在PECVD制備SiGe薄膜中的作用,分析了非晶SiGe薄膜的生長機理,優(yōu)化了PECVD制備SiGe薄膜的工藝參數(shù)。PECVD制備的薄膜一般為非晶態(tài),在一定的溫度下對所制備的薄膜進行了熱退火處理得到了多晶結(jié)構(gòu)SiGe薄膜。 (2)研究了A1誘導非晶SiGe薄膜的晶化,證實了由于A1的誘導作用,薄膜晶化溫度大大降低;退火溫度和退火時間均影響著薄膜的晶化,隨著退火溫度的升高和退火時間的增長,薄膜結(jié)晶度增加,晶粒越來

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