摻雜VO-,x-薄膜制備及其性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、VO2是一種具有廣泛用途的熱致相變材料，在68℃時發(fā)生半導體-金屬相變，由低溫單斜結構變?yōu)楦邷厮姆浇鸺t石結構，并伴隨發(fā)生光、電、磁等性能的可逆性突變。
　　 第一章簡要介紹了VO2的晶體結構及類型，VOx薄膜的應用以及常見的VOx薄膜制備方法，概述了VO2薄膜作為一種新型薄膜材料的應用前景。
　　 第二章介紹了磁控濺射鍍膜的機理和工藝特點，直流磁控濺射制備摻雜與未摻雜VOx薄膜的實驗過程，以及實驗中用到的薄膜表征技術。<

2、br>　　 第三章研究了直流磁控濺射制備VOx薄膜的工藝，分析了退火氣氛、退火溫度、退火時間、氧氬比、工作氣壓、襯底溫度等對VOx薄膜電阻突變特性的影響，同時研究了VOx薄膜AFM形貌、XRD。結果表明：O2/Ar為1.0∶15、濺射功率120W、工作氣壓2.0Pa并且在氮氣中退火的VOx薄膜結晶質量好，VO2相含量多，電阻值的突變大。
　　 第四章研究了雙靶共濺射制備摻鎢VOx薄膜的工藝，分析了改變鎢靶濺射功率以及共濺射時間

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