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文檔簡介
1、隨著數(shù)字存儲技術在移動通訊、數(shù)據(jù)終端、多媒體、及消費類電子等領域得廣泛應用，F(xiàn)lash存儲器成為SOC中一個重要的角色，并在行業(yè)中已經(jīng)占據(jù)了不可替代的地位。然而，隨著工藝技術的不斷提高，及人們對產(chǎn)品性能的要求越來越高，傳統(tǒng)浮柵存儲器受到多方面的限制不能滿足人們的需求，研發(fā)下一代快閃存儲器——電荷俘獲型存儲器(Charge Trapping Memory, CTM)成為一種必然的趨勢。由于CTM技術在我國還處于發(fā)展初期，對于電荷俘獲技術的
2、研究和嵌入式系統(tǒng)的開發(fā)具有很高的科學和經(jīng)濟價值。
論文根據(jù)電荷俘獲型存儲單元的操作特性及Numonyx_65nm_3V_2Gbit的數(shù)據(jù)表，來設計容量為1Gbits的NOR型的存儲器的系統(tǒng)架構。重點是設計適合1Gbits CTM存儲器的高性能的讀取通道，并對靈敏放大器，電荷泵系統(tǒng)的產(chǎn)生和管理，電平切換開關及帶隙基準等相關電路進行設計。最后，論文根據(jù)SMIC的65nm下的工藝對CTM存儲陣列和外圍電路進行版圖的設計，并提出在
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