疊層芯片封裝的低弧度金線鍵合工藝技術(shù)研究.pdf

1、三維多芯片組件技術(shù)是現(xiàn)代微組裝技術(shù)發(fā)展的重要方向，是新世紀(jì)微電子技術(shù)領(lǐng)域的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，近年來得到了迅速的發(fā)展。高度的限制及疊層技術(shù)構(gòu)形增加的復(fù)雜性對在疊層芯片應(yīng)用中的絲悍技術(shù)提出了一些特殊的挑戰(zhàn)，需要降低較低層的引線鍵合環(huán)形高度，以避免不同的環(huán)形層之間的線短路。環(huán)形頂層也需要保持低位，以便消除在模塑化合物外部暴露出焊線的現(xiàn)象，低外形環(huán)形技術(shù)的要求也推動了反向球焊技術(shù)使用的不斷增長。本論文對三維多芯片組裝技術(shù)中的疊層芯片低線弧鍵合工藝技

2、術(shù)及其應(yīng)用進(jìn)行了研究： 所進(jìn)行的折疊式正向弧線法(Forward Folded Loop)的研究除了能提供比傳統(tǒng)正向球焊工藝具有更低弧線高度(低于75μm)和較少的頸部損壞之外，還降低了對芯片焊盤的損傷，具有更高的產(chǎn)量和更好的模塑去除性能。 研究了FFL的正向鍵合和SSB的反向鍵合方法來實(shí)現(xiàn)低線弧，滿足了底線弧和可靠性的要求，F(xiàn)FL線弧往往更適合大批量的生產(chǎn)模式，是控制第一焊點(diǎn)高度和形狀的首選低線弧模式。 折疊式