多晶硅壓力傳感器模數(shù)轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì).pdf_第1頁(yè)
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1、在社會(huì)的眾多領(lǐng)域中,壓力傳感器都起到了很重要的作用。根據(jù)相關(guān)資料得知,壓力傳感器的種類(lèi)很多,其中在硅質(zhì)材料上完成的占大多數(shù)。本文的傳感器是基于MEMS工藝,在單晶硅上制作四個(gè)納米多晶硅電阻,由四個(gè)電阻按規(guī)則排列構(gòu)成惠斯通電橋的結(jié)構(gòu),進(jìn)而形成納米多晶硅薄膜壓力傳感器。當(dāng)施加壓力在硅膜表面時(shí),惠斯通電橋中的兩個(gè)多晶硅電阻增大,其余的兩個(gè)多晶硅電阻減小,因而使橋路失去平衡,電橋的兩端就有電壓輸出,最后將力學(xué)信號(hào)轉(zhuǎn)化為電壓信號(hào)。
  

2、本文分別介紹了壓力傳感器、納米多晶硅壓力傳感器的工作原理、基本結(jié)構(gòu)、模數(shù)轉(zhuǎn)換電路的模擬仿真和制作,程序的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)。對(duì)納米多晶硅壓力傳感器的電流-電壓特性、靜態(tài)特性、溫度特性進(jìn)行了分析。同時(shí)也利用軟件對(duì)設(shè)計(jì)的檢測(cè)信號(hào)電路、模數(shù)轉(zhuǎn)換電路、控制及顯示電路、電源電路進(jìn)行模擬仿真,在此基礎(chǔ)上制造了模數(shù)轉(zhuǎn)換電路。本文設(shè)計(jì)的多晶硅壓力傳感器利用納米多晶硅電阻做為壓敏電阻,在一定程度上克服了多晶硅壓力傳感器信號(hào)難以測(cè)量的缺點(diǎn),增強(qiáng)了傳感器的穩(wěn)定性。制造

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