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1、隨著最近10余年射頻和通信技術(shù)的高速發(fā)展,移動(dòng)通信終端.手機(jī)的電路從當(dāng)初的分立式部件發(fā)展到現(xiàn)在的集成度高的模塊和單芯片。雖然基于新的單芯片手機(jī)方案,其外圍射頻電路的調(diào)試工作量大大降低,但是從系統(tǒng)設(shè)計(jì)和測(cè)試上的復(fù)雜度仍然不小。本文正是在這種形勢(shì)下,對(duì)GSM手機(jī)的射頻電路設(shè)計(jì)和射頻性能指標(biāo)的測(cè)試進(jìn)行了研究。 本設(shè)計(jì)采用了Silicon Lab公司高集成度的Si4205收發(fā)芯片為射頻子系統(tǒng)的主芯片。系統(tǒng)設(shè)計(jì)采用Si4205的雙頻(GS
2、M900/DCS1800)解決方案,發(fā)射機(jī)部分主要采用中頻鎖相環(huán)方案,該方案有利于減小系統(tǒng)的頻率誤差和相位誤差;接收機(jī)部分采用典型的低中頻方案,它具有優(yōu)良的動(dòng)態(tài)范圍和選擇性,在給定的性能要求下具有開(kāi)發(fā)周期短,風(fēng)險(xiǎn)小等特點(diǎn)。設(shè)計(jì)中參考Si4205技術(shù)文檔中推薦的外圍電路,結(jié)合GSM射頻發(fā)射部分、接收部分的技術(shù)指標(biāo)要求進(jìn)行元器件選型,并設(shè)計(jì)了發(fā)射電路和接收電路。其中發(fā)射電路包括功率放大電路等,接收電路包括射頻前端電路、聲表面波濾波器電路等。
3、然后,對(duì)此設(shè)計(jì)進(jìn)行了射頻性能分析,理論上均可達(dá)到設(shè)計(jì)要求。 本設(shè)計(jì)經(jīng)過(guò)規(guī)范的調(diào)試、校準(zhǔn)、測(cè)試后,該射頻模塊能夠在軟件的控制下,成功實(shí)現(xiàn)與基站和公共陸地移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)之間的通信,且工作穩(wěn)定,其主要性能指標(biāo)的實(shí)際測(cè)試數(shù)據(jù)均可達(dá)到GSM05.05協(xié)議要求。其中發(fā)射部分性能指標(biāo)包括:發(fā)射載波峰值功率,發(fā)射載頻包絡(luò),調(diào)制頻譜,開(kāi)關(guān)頻譜,頻率誤差,相位誤差本和傳導(dǎo)雜散騷擾;接收部分性能指標(biāo)包括:接收靈敏度和接收信號(hào)指示電平。本文還給出了一些測(cè)試及
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