CMOS射頻集成單元電路設(shè)計(jì).pdf

1、近幾年來(lái),第三代移動(dòng)通信、全球衛(wèi)星定位系統(tǒng)(GPS)、無(wú)線局域網(wǎng)(WLAN)和藍(lán)牙(blue tooth)等技術(shù)迅速發(fā)展,大大促進(jìn)了對(duì)低成本、低功耗、高容量CMOS射頻集成電路的需求.基于我國(guó)自主研發(fā)的第一代衛(wèi)星導(dǎo)航定位系統(tǒng)"北斗一號(hào)"地面接收機(jī),本文研究了L波段射頻前端單元電路低噪聲放大器(LNA)、單刀雙擲開關(guān)(SPDT Switch)和無(wú)源混頻器(Passive Mixer),并在此基礎(chǔ)上采用TSMC 0.25μm CMOS工藝完

2、成了流片和測(cè)試工作,為以后實(shí)現(xiàn)前端接收芯片的全集成做好技術(shù)儲(chǔ)備.本論文分為以下幾個(gè)部分:第一章先介紹了CMOS射頻集成電路的發(fā)展背景及其國(guó)內(nèi)外動(dòng)態(tài).第二、三、四章分別論述低噪聲放大器、單刀雙擲開關(guān)和無(wú)源混頻器的基本設(shè)計(jì)原理和具體設(shè)計(jì)過(guò)程,其中包括版圖的優(yōu)化設(shè)計(jì).測(cè)試結(jié)果表明低噪聲放大器工作在1GHz時(shí),噪聲系數(shù)為1.6dB,增益為10dB;單刀雙擲開關(guān)工作在1GHz時(shí),插入損耗約為1.5dB,隔離度為55dB,性能基本滿足指標(biāo).最后第五