基體偏壓對鎂合金表面CrAlTiN膜層沉積速率及性能的影響.pdf

1、本文通過改變基體偏壓和沉積時間等沉積參數(shù)，研究了使用閉合場非平衡磁控濺射技術(shù)在鎂合金表面沉積高硬耐磨的CrAlTiN膜層的可能性。對不同偏壓下膜層的厚度、硬度、結(jié)合力、耐磨性和表面形貌進行了檢測分析，探討了偏壓對鎂基CrAlTiN膜層性能的影響機理，并對不同沉積時間下膜層的厚度、硬度、結(jié)合力、耐磨性和表面形貌進行了檢測分析，探討了膜層的生長機理。 實驗結(jié)果表明：偏壓是影響膜層能否沉積到基體的關(guān)鍵因素，對于鎂基CrAlTiN膜層，

2、偏壓大于65V時膜層難以沉積到基體上。在偏壓處于30V－65V之間時：高的濺射偏壓雖不利于膜層厚度的增加，但可提高相同沉積時間條件下膜層的顯微硬度；膜基結(jié)合力隨偏壓的增大先上升后下降，膜層的耐磨性與膜基結(jié)合力呈現(xiàn)出一致性，偏壓為35V～40時的耐磨性能最好；隨著偏壓增大，膜層表面致密性增強，孔洞減少，顆粒間熔結(jié)凝聚；偏壓小于45V時，CrAlTiN膜層的組織結(jié)構(gòu)為晶帶1型，偏壓大于50V后，膜層組織結(jié)構(gòu)為晶帶T型。膜層厚度與沉積時間近乎