2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
已閱讀1頁,還剩81頁未讀 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、應(yīng)變Si材料具有較高的載流子遷移率,且與傳統(tǒng)的Si工藝兼容已成為國內(nèi)外的研究熱點(diǎn),同時(shí)也是由于應(yīng)變Si禁帶寬度的減小和載流子遷移率的增加等因素影響,使得應(yīng)變Si MOS的熱載流子效應(yīng)也更加顯著。所以應(yīng)變Si MOS器件可靠性等問題已成為制約其發(fā)展的瓶頸。
   本論文在分析應(yīng)變Si基本物理特性、應(yīng)變引入機(jī)制和單軸應(yīng)變Si NMOS基本結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,重點(diǎn)研究了單軸應(yīng)變Si NMOS的熱載流子效應(yīng)。首先分析了單軸應(yīng)變Si NMOS器

2、件熱載流子效應(yīng)產(chǎn)生的機(jī)制以及熱載流子效應(yīng)對(duì)單軸應(yīng)變SiNMOS界面特性的影響,建立了熱載流子效應(yīng)引起閾值電壓退化的模型。該模型重點(diǎn)考慮了熱載流子效應(yīng)引起的界面態(tài)的影響,利用Matlab對(duì)該模型進(jìn)行了分析,并通過Silvaco軟件進(jìn)行了驗(yàn)證。然后研究了熱載流子效應(yīng)致單軸應(yīng)變Si NMOS直流特性的退化機(jī)理,建立了熱載流子效應(yīng)引起的襯底電流、漏極電流、亞閾值擺幅等直流參數(shù)的退化模型,利用Matlab模擬了這些模型,并使用Silvaco軟件對(duì)

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論