硅肖特基源漏MOSFET的模擬研究.pdf

1、本文對(duì)硅基肖特基源漏MOSFET(簡(jiǎn)稱(chēng)SBSD-MOSFET)進(jìn)行模擬研究.SBSD-MOSFET用肖特基接觸代替了pn結(jié)來(lái)做MOSFET的源漏區(qū).這種結(jié)構(gòu)器件能有效降低困擾常規(guī)MOSFET的短溝效應(yīng)和寄生的雙極效應(yīng),能大幅度減小器件尺寸.其制備工藝簡(jiǎn)單,避免了離子注入工藝和退火步驟.首先,文中分析了SBSD-MOSFET的電流輸運(yùn)機(jī)制.根據(jù)其結(jié)構(gòu)特點(diǎn),我們可以將其看作是兩個(gè)背靠背的肖特基二極管.源漏區(qū)肖特基接觸界面的特性和常規(guī)肖特基二

2、極管相似,電流的輸運(yùn)主要以熱電子發(fā)射和隧道效應(yīng)為主.其次,本文通過(guò)二維模擬軟件DESSIS模擬了體硅SBSD-MOSFET的基本伏安特性,模擬結(jié)果顯示,體硅SBSD-MOSFET有著較大的反柵壓泄漏電流,而反柵壓泄漏電流包括兩部分:來(lái)自源結(jié)的熱發(fā)射泄漏電流與來(lái)自漏結(jié)的隧穿泄漏電流.最后,我們的模擬發(fā)現(xiàn),普通SOI結(jié)構(gòu)SBSD-MOSFET能有效阻擋來(lái)自源結(jié)的熱電子發(fā)射泄漏電流,但仍不能阻擋來(lái)自漏結(jié)的隧穿泄漏電流.為此本文給出一種側(cè)墻不對(duì)