基于ISE的MOSFET器件電學(xué)特性模擬分析與研究.pdf

1、MOSFET器件具有熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大等優(yōu)點(diǎn)，所以很早就引起了人們的關(guān)注，但是隨著器件尺寸的不斷縮小，出現(xiàn)了很多負(fù)面效應(yīng)，為了盡量減小甚至消除這些負(fù)面效應(yīng)的影響，大多數(shù)人的注意力都集中到了改善界面質(zhì)量和等效氧化物厚度上，可以通過(guò)使用鈍化層和高K電介質(zhì)達(dá)到上述目的。本論文利用自洽求解泊松-連續(xù)性方程理論模型，模擬了一種帶有si鈍化層和高K氧化物層的金屬-氧化層-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor

2、Field-Effect Transistor，MOSFET)的電學(xué)特性。通過(guò)改變四個(gè)參數(shù)(In0.53Ga0.47As輕微N型摻雜、串聯(lián)電阻、界面陷阱及溝道層內(nèi)載流子遷移率)，將模擬結(jié)果和實(shí)驗(yàn)對(duì)比，闡述其對(duì)器件性能的影響。研究的結(jié)果如下：
　　 (1)通過(guò)改變溝道層材料In0.53Ga0.47As的輕微N型摻雜這個(gè)參數(shù)以后的電學(xué)特性模擬數(shù)據(jù)和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的對(duì)比，本研究發(fā)現(xiàn)，In0.53Ga0.47As材料非故意輕微N型摻雜對(duì)器件的

3、Ids-Vds曲線的影響是比較小的，可以忽略其作用；
　　 (2)通過(guò)添加施主類型界面陷阱這個(gè)參數(shù)以后的電學(xué)特性模擬數(shù)據(jù)和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的對(duì)比，本研究發(fā)現(xiàn)，添加了施主類型界面陷阱導(dǎo)致漏極電流增大；
　　 (3)通過(guò)考慮了源漏串聯(lián)電阻這個(gè)參數(shù)以后的電學(xué)特性模擬數(shù)據(jù)和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的對(duì)比，本研究發(fā)現(xiàn)，由于串聯(lián)電阻會(huì)導(dǎo)致漏極電流減小，那么只能用減小串聯(lián)電阻的辦法增大漏極電流，所以可以用增大電極板接觸面積的方法減小串聯(lián)電阻的影響；