應(yīng)變硅器件電學(xué)特性研究.pdf_第1頁
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文檔簡(jiǎn)介

1、西安電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文應(yīng)變硅器件電學(xué)特性研究姓名：鬲鵬飛申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：張鶴鳴20090101AbstractlUAbstractStrainedsilicontechnologyenhancesthelowermobilityinbulkSiCMOSbyintroducingtensileorcompressivestressintoSideviceInaddition，basedonthe

2、processofBulkSiCMOS，Strainedsilicontechnologyneedsnocomplicatedmethodsinprocessline，thusbeingwidelyappliedasacheapandefficientmethodologyThisthesisfocasesonthestrainedSiGe／SionrelaxedSi／SiGe，includinghowtherelaxedorstrai

3、nedSiGe／SiisformedanditsphysicalcharacteristicThestructureofthestrainedSisurfacechannelMOSFE正thestrainedSiGeMOSFETwithquantumwellchannelisfoundedBysolvingthePoisson’Sequationatanylayer，themodelofthresholdvoltageisestabli

4、shed，alsothetransconductance，leakconductanceandthecut—offfrequencymodelarepresentedthroughtheabovegroundworkThentherelationbetweentheelectricalparameterandthestructureparameterweresimulatedandanalyzedwithusingMATLABAfter

5、that，theintegratedstrainedCMOSwassimulatedbyMEDICItesearchonmajorstructureparametersofdeviceTheresultfromthesimulationdemonstratedthatthisnovelstructureiswelldesignedandwillhaveapromisingfutureintheapplicationfieldKeywor

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