Drift Drain MOSFET模擬與建模.pdf

1、近年來(lái)，高壓雙擴(kuò)散漏器件DDDMOS(DriftDrainMOSFET)以其優(yōu)良的性能被廣泛地應(yīng)用于電源管理、輸入輸出接口、LCD驅(qū)動(dòng)等電路中。然而，目前在業(yè)界缺少標(biāo)準(zhǔn)和準(zhǔn)確的DDDMOS電流模型，給電路設(shè)計(jì)者帶來(lái)困難。業(yè)界目前使用的模型只是在低壓MOS模型基礎(chǔ)上作一些修改，或者通過(guò)用簡(jiǎn)單多項(xiàng)式的形式建立DDDMOS漂移區(qū)電阻的宏模型以建模。這兩種方法各有其局限性，很難得到準(zhǔn)確的全區(qū)域模型，所建立的模型物理意義也不是很明確，不能普遍適用

2、于各廠家的工藝要求。 本論文利用標(biāo)準(zhǔn)的器件及工藝模擬軟件研究了DDDMOS的工作特性，并在此基礎(chǔ)上提出了基于物理意義的器件宏模型。首先介紹了器件建模的基本原理及相關(guān)模擬技術(shù)，然后利用工藝模擬軟件生成器件基本結(jié)構(gòu)，并對(duì)其基本特性進(jìn)行了分析；分析了業(yè)內(nèi)和學(xué)術(shù)界比較通用的高壓器件建模的方法，隨后在模擬實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ)上著重分析了DDDMOS的物理特性，在求解泊松方程、連續(xù)性方程等基本方程的基礎(chǔ)上，建立有物理意義的漂移區(qū)電阻的宏模型：隨后結(jié)合