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1、有機(jī)小分子納米結(jié)構(gòu)在新型光電器件方面的潛在應(yīng)用,激起研究者的極大興趣。由于很難在晶體生長(zhǎng)的開始階段精確控制有機(jī)晶體的成核以及其后的生長(zhǎng)過程,制備形貌、尺寸以及表面性質(zhì)可控的有機(jī)納米結(jié)構(gòu),依然面臨挑戰(zhàn)。本論文(1)選擇通過化學(xué)反應(yīng)的方法,選用丁二酮肟與鎳離子為液相化學(xué)反應(yīng)的前驅(qū)物,通過控制前驅(qū)物的濃度等實(shí)驗(yàn)條件以控制其化學(xué)反應(yīng)的動(dòng)力學(xué),來(lái)實(shí)現(xiàn)納米晶體形貌的可控性。我們發(fā)現(xiàn)反應(yīng)物濃度對(duì)絡(luò)合物晶體結(jié)構(gòu)形貌變化起主導(dǎo)作用,隨著反應(yīng)物濃度的增大,
2、分子會(huì)優(yōu)先在晶核的外圍表面能較大的位置進(jìn)行生長(zhǎng),以降低系統(tǒng)的能量,最終形成管狀結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步基于丁二酮肟與鎳離子間的顯色反應(yīng)以及納米顆粒的大比表面積的優(yōu)勢(shì),我們將丁二酮肟納米顆粒富集在試紙上,制備出方便攜帶、操作簡(jiǎn)單并且檢測(cè)靈敏的鎳離子試紙,其檢出限低于常規(guī)溶液滴定檢測(cè)兩個(gè)數(shù)量級(jí)。(2)在表面為300nmSiO2層的N型硅上通過光刻及刻蝕得到圖案化絕緣層與電極,將襯底浸入生長(zhǎng)溶液中,P型方酸微米線通過溶液揮發(fā)法定向生長(zhǎng),橫跨在N型硅基底與
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