冶金硅太陽電池的P-N結制造工藝分析與優(yōu)化.pdf

1、用常規(guī)絲網印刷技術研制冶金物理法提純的多晶硅太陽電池。針對冶金硅片的少子壽命低，采用短時間磷吸雜工藝使原始硅片的少子壽命從0.8-0.9μs提高到1.26-1.44μs。用液態(tài)源單面擴散磷摻雜的方法制得P-N結。經過優(yōu)化擴散工藝與常規(guī)化學擴散工藝的對比實驗，得到與冶金硅電池相符的最佳擴散工藝條件:擴散溫度806℃、攜帶源氮氣流量1100ml/min、氧氣流量1100ml/min、保護性氮氣流量25000ml/min、通源時間23min。

2、擴散后電池的方塊電阻平均為67.3Ω/□(□)，比優(yōu)化前的電池增加了16.2Ω/(□)□，明顯改善了冶金硅電池的P-N結特性。將優(yōu)化擴散工藝用于小批量電池的生產，經電池在線測試給出，優(yōu)化擴散條件后冶金硅電池的平均轉換效率從16.43％提高到16.60％，電池的開路電壓平均值達到0.6334V、短路電流平均值達到8.10A、填充因子平均值為76.48％。測試給出20％的電池仍有負12伏的反向漏電，超過常規(guī)指標，主要源于冶金硅原始片的電阻率