摻鍺對直拉硅單晶材料及器件抗快中子輻照性能的影響.pdf

1、微電子器件經(jīng)常應用于各種輻射環(huán)境，在此情況下提高直拉硅單晶材料的抗輻照性能很有必要。在直拉硅單晶中摻鍺被認為是提高抗輻照性能的措施之一。目前，關于摻鍺對直拉硅單晶的中子輻照缺陷的影響仍不清楚。本文對比研究了由普通和摻鍺直拉硅單晶制備的PN結二極管經(jīng)中子輻照后的電學特性，以此探明摻鍺如何影響直拉硅單晶的中子輻照缺陷的形成。此外，還研究了摻鍺對直拉硅單晶的中子輻照缺陷演變行為的影響。
　　研究了直拉硅單晶中濃度為1020cm-3數(shù)量級

2、的鍺摻雜對中子輻照造成的PN結二極管電學性能退化的影響。通過對電流-電壓(I-V)和電容-電壓(C-V)特性曲線的分析，發(fā)現(xiàn)經(jīng)中子輻照后由摻鍺直拉硅單晶制備的二極管在正向電流和反向漏電流上的增加幅度明顯小于由普通直拉硅單晶制備的二極管。分析認為，這是由于摻鍺在一定程度上減少了直拉硅單晶中由中子輻照引起的深能級缺陷，顯示出摻鍺的抗中子輻照效應。
　　通過間隙氧原子濃度的變化表征了普通和摻鍺直拉硅單晶的中子輻照缺陷的演變行為。研究發(fā)現(xiàn)