2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、隨著大規(guī)模集成電路(VLSI)和超大規(guī)模集成電路的發(fā)展,節(jié)省時(shí)間、節(jié)省能量、容易控制的快速熱退火工藝在半導(dǎo)體器件制造工藝中得到了廣泛的應(yīng)用,并且在硅材料的缺陷工程中發(fā)揮了特殊的作用.人們通過(guò)高溫快速熱處理在硅片中引入空位,并控制定位的分布,進(jìn)而形成了具有較強(qiáng)內(nèi)吸雜能力的潔凈區(qū).這一應(yīng)用使硅中雜質(zhì)和缺陷在快速熱處理過(guò)程中的行為的研究成為目前硅材料研究的新熱點(diǎn).盡管國(guó)內(nèi)外對(duì)硅中氮、氧雜質(zhì)的擴(kuò)散行為進(jìn)行了大量的研究,但高溫RTP處理過(guò)程中的內(nèi)

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