已閱讀1頁,還剩55頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀
版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權,請進行舉報或認領
文檔簡介
1、直拉單晶硅是半導體行業(yè)最重要的基礎材料,半導體技術的快速發(fā)展要求硅材料行業(yè)生產(chǎn)直徑更大、質(zhì)量更高即更低缺陷密度的單晶硅。本文正是在這樣的背景下,依托國家科技重大專項,以直拉法制備硅晶體的工藝流程為起點,針對單晶爐內(nèi)無法在線測量的溫度分布進行研究。國外普遍采用計算機數(shù)值仿真的方法來研究,但國內(nèi)此方面的研究起步較晚,水平不高。本論文采用有限元數(shù)值計算方法建立了單晶爐內(nèi)熱場的仿真環(huán)境,給出了建立一個好的熱場的方向。通過實驗驗證,數(shù)值計算結果與
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 生長φ8″直拉硅單晶φ18″熱場研究及數(shù)值模擬.pdf
- 直徑300mm硅單晶生長過程的熱場模擬.pdf
- 直拉硅單晶工藝參數(shù)對熱場的影響研究.pdf
- 工藝參數(shù)對硅單晶直拉過程影響的數(shù)值模擬研究.pdf
- 直拉硅單晶生長Cusp磁場的研究.pdf
- 直拉硅單晶中微缺陷演變的相場模擬研究.pdf
- 基于數(shù)據(jù)驅(qū)動的硅單晶生長過程控制研究.pdf
- 勾形磁場對硅單晶CZ生長過程影響的全局數(shù)值分析.pdf
- 物性參數(shù)對硅單晶CZ法生長過程影響的全局數(shù)值分析.pdf
- 直拉硅單晶中空洞型缺陷演化行為的相場模型及其模擬研究.pdf
- 直拉法和定向凝固法晶體硅生長過程的數(shù)值模擬優(yōu)化.pdf
- 直拉硅單晶生長界面生成、演變及控制方法研究.pdf
- 直拉硅單晶的快速熱處理(RTP)研究.pdf
- 摻鍺直拉硅單晶中缺陷的研究.pdf
- 直拉硅單晶中氧沉淀的熟化.pdf
- Φ200mm和Φ450mm直拉單晶硅生長過程有限元模擬研究.pdf
- 直拉硅單晶壓痕位錯的運動.pdf
- 多場耦合下直拉硅單晶熔體流動與傳熱研究.pdf
- 高拉速低能耗φ200mm直拉硅單晶熱場的設計與分析.pdf
- 區(qū)熔硅單晶生長技術中熔區(qū)的數(shù)值模擬與研究.pdf
評論
0/150
提交評論