垂直記錄磁頭研磨關(guān)鍵參數(shù)的研究.pdf

1、隨著對(duì)電腦硬盤的容量需求的不斷提升，300TB容量的硬盤會(huì)在2010年面世，磁頭生產(chǎn)工藝正在為這一目標(biāo)努力，但實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)需要新的磁記錄技術(shù)，垂直記錄式磁頭就是其中最具競(jìng)爭(zhēng)力的技術(shù)之一。
　　本課題評(píng)估磁頭生產(chǎn)過程在RLG(Resistance Lapping Guidance—電阻導(dǎo)向研磨)工序中的各個(gè)因素的作用，介定影響磁頭電阻良品率的關(guān)鍵因素并進(jìn)行優(yōu)化，以達(dá)到電阻良品率提高10％的目的。
　　本文通過大量實(shí)驗(yàn)分析了垂直

2、記錄式磁頭低電阻輸出的成因，分析了低電阻輸出與磁頭讀寫元件表面劃痕的深度和方向的關(guān)系，并了解了精密研磨工序中的微小劃痕深度和方向同相關(guān)參數(shù)的對(duì)應(yīng)關(guān)系，在對(duì)精密研磨工序進(jìn)一步研究的基礎(chǔ)上，給出實(shí)際生產(chǎn)的優(yōu)化方案并付諸實(shí)施。
　　本文采用正交實(shí)驗(yàn)的方法，分析了磁頭RLG研磨的過程參數(shù)，確定了磁頭電阻不良的成因是電阻單元上下導(dǎo)線的短接，RLG研磨過程中電阻單元上的深劃痕使屏蔽層從劃痕處產(chǎn)生了電流分流現(xiàn)象造成不良品。
　　為了提高磁

3、頭的產(chǎn)品良品率，研究了RLG研磨過程中各個(gè)關(guān)鍵參數(shù)的相互作用，分析了RLG研磨的相應(yīng)關(guān)鍵參數(shù)，發(fā)現(xiàn)控制RLG研磨坯的轉(zhuǎn)動(dòng)速度(Plate Speed)和研磨機(jī)頭的橫向擺動(dòng)速度(OSC)的配比能有效控制微小劃痕的方向從而減少了導(dǎo)線之間的直連，發(fā)現(xiàn)磨粒粒度差異小的粒磨劑能有效改善了微小劃痕的深度，發(fā)現(xiàn)多晶體金剛石磨粒在劃痕控制方面比單晶體磨粒優(yōu)越，更易獲得良好的表面質(zhì)量。提出了解決磁頭讀寫元件表面劃痕的方向和深度控制的可行方法。