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文檔簡介
1、砷化鎵(GaAs)是一種重要的半導(dǎo)體材料,廣泛應(yīng)用于射頻微波領(lǐng)域.GaAs材料具有較寬的禁帶、高載流子漂移速度等許多優(yōu)點(diǎn),具有廣闊的應(yīng)用領(lǐng)域.在微波功率器件中,GaAs金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MESFET)的應(yīng)用比較成熟,但是對于微波大信號的研究,一直是人們關(guān)注的問題,也是難度較大的問題.本文就要對GaAs MESFET射頻大信號特性進(jìn)行研究.本文首先建立了GaAs MESFET小信號模型,提出了模型參數(shù)提取方法.在小信號模型的基礎(chǔ)上,
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