砷化鎵單片驅動功率放大器研究.pdf

1、隨著GaAs技術的不斷發(fā)展，單片技術已成為GaAs領域的主要發(fā)展方向。目前GaAs微波單片集成電路已成為有源固態(tài)相控陣雷達T/R組件的關鍵電路。砷化鎵單片驅動功率放大器用于T/R組件中發(fā)射支路，作為后級功放的驅動級，起到提供較高增益和一定輸出功率的作用。 本課題研究了單片驅動功率放大器用GaAs有源器件MESFET和PHEMT的結構、工作原理和模型分析，詳細闡述了PHEMT小信號模型提取的方法和過程，并最終得出本驅動放大器的小信

2、號模型。研究了無源元件的模型提取，描述了驅動功率放大器的拓撲選取、匹配技術，給出了優(yōu)化后的電路圖，并得到了滿意的仿真結果。 文中根據(jù)優(yōu)化后的電路生成了驅動功率放大器的版圖，采用了贗配高電子遷移率場效應晶體管作為驅動放大器的有源器件，研究了隔離技術、源漏電極形成技術、柵電極形成技術、金屬剝離技術和空氣橋技術等關鍵工藝制作出驅動功率放大器，并對放大器進行測試，對比分析仿真結果與測試結果的偏差及產生偏差的原因。研制出驅動功率放大器主要