微波功率SiC MESFET大信號建模技術(shù)研究.pdf

1、碳化硅(SiC)是第三代(寬禁帶)半導(dǎo)體電子材料，SiC金屬一半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MESFET)在高溫、大功率、高頻、抗輻射等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。與目前已取得較好成果的物理機理模型相比，基于測量的模型具有簡單、快速和精確等優(yōu)點，成為國內(nèi)外相關(guān)學(xué)者研究的熱點。本文從SiCMESFET小信號等效電路模型出發(fā)，分析了SiC MESFET直流I-V解析特性，建立了微波功率SiCMESFET大信號經(jīng)驗?zāi)Ｐ秃秃诤凶幽Ｐ偷然跍y量的器件模型。

2、 首先，本文基于傳統(tǒng)FET小信號模型，提出了適合微波功率SiC MESFET的小信號等效電路拓撲和精確的小信號模型參數(shù)提取方法。建立的小信號等效電路模型具有比較簡單、精確和寬帶(0-20GHz)等特性，為大信號分析提供必要的數(shù)據(jù)。 然后，本文分析了SiC MESFET直流I-V解析特性，并結(jié)合GaAs FET器件的大信號模型，改進了Triquint’s own model(TOM)、Angelov和Currice Cubic直流

3、I-v特性模型，以及Angelov非線性電容模型，建立了溫度相關(guān)的SiC MESFET大信號經(jīng)驗?zāi)Ｐ?。該模型以符號定義器件(SDD)的形式嵌入到商用軟件ADS中，并通過實測的直流I-V曲線、多偏置下的S參數(shù)和ADS諧波平衡(HB)仿真結(jié)果進行了驗證，結(jié)果表明本文模型具有較好的精度。 最后，本文介紹了支持向量機(SVM)，及其在建立大信號表格模型中的應(yīng)用，提出了一種新的黑盒子模型——大信號支持向量回歸機(SVR)模型。計算結(jié)果表明