2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、ZnO是一種具有壓電和光電特性的六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的直接帶隙寬禁帶半導(dǎo)體材料,室溫下其禁帶寬度為3.3 eV,激子束縛能高達(dá)60meV,保證了其在室溫下較強(qiáng)的激子發(fā)光,因此,ZnO在紫外光電器件方面有巨大的應(yīng)用潛力.自1997年首次發(fā)現(xiàn)ZnO室溫紫外受激發(fā)射以來(lái),ZnO研究已成為紫外發(fā)射材料研究的又一熱點(diǎn).近年來(lái),ZnO薄膜的制備有許多先進(jìn)的沉積和生長(zhǎng)技術(shù),如分子束外延(MBE)、磁控濺射、電子束蒸發(fā)、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)、電

2、化學(xué)、高溫裂解、激光脈沖沉積(PLD)等方法.但是,由于氧氣的鍵能非常大(5.16eV),在沉積ZnO時(shí),不能提供充足的活性氧源,易形成大量的氧空位,所以,如果不用氧等離子體輔助,用上述方法很難在低溫下生長(zhǎng)具有化學(xué)配比的ZnO納米薄膜.該論文介紹了用氧等離子體輔助電子束蒸發(fā)金屬Zn后低溫(300-500℃)退火的方法來(lái)制備結(jié)構(gòu)和發(fā)光性能良好的ZnO納米薄膜.直接沉積的薄膜具有用ZnO/Zn核殼結(jié)構(gòu),存在界面,通過(guò)X射線衍射譜(XRD)、

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