電子束蒸發(fā)沉積重?fù)焦璞∧ぜ捌鋺?yīng)用.pdf

1、Si材料是半導(dǎo)體材料中最重要的材料之一,以應(yīng)用于微電子工業(yè)等領(lǐng)域居多,其中Si薄膜則多用在太陽能行業(yè),且對(duì)于Si薄膜的其他用途研究則不多。
　　 現(xiàn)階段,建筑物用的玻璃,絕大部分輻射率較高,這樣的玻璃保溫性能差,整個(gè)建筑物損失的能量大約有一半是通過玻璃浪費(fèi)掉的。因此,控制玻璃的能耗對(duì)節(jié)約能源大有裨益,其最佳選擇是采用Low-e玻璃,俗稱低輻射玻璃。
　　 目前Low-e玻璃根據(jù)其制作方式主要有在線Low-e玻璃和離線Lo

2、w-e玻璃兩種,而現(xiàn)階段無論在線和離線生產(chǎn)出來的Low-e玻璃均價(jià)格太高,在我國大部分還是用于寫字樓,商場,無法推廣到家家戶戶。這樣,對(duì)低成本Low-e玻璃的研究就擺在了我們眼前,現(xiàn)在比較常用的方法是磁控濺射法,但磁控濺射鍍膜設(shè)備價(jià)格昂貴,相對(duì)生產(chǎn)出來的Low-e玻璃價(jià)格就高。而真空蒸鍍法盡管成本簡單,但一般都是制作雙層膜,并且近幾年也沒有改進(jìn)相關(guān)方法的報(bào)道。于是本實(shí)驗(yàn)室嘗試采用電子束蒸發(fā)法來沉積重?fù)焦枘?希望可以僅采用Si原材料制備出

3、具有低輻射特性的薄膜,通過對(duì)薄膜進(jìn)行晶化,摻雜等工藝,提高重?fù)焦枘さ膶?dǎo)電特性,或者僅僅使用Si和Ag來制備Low-e薄膜,從而可以不通氣體,降低成本和工序,并對(duì)對(duì)Si保護(hù)膜進(jìn)行深入的探索,希望所做的工作對(duì)工業(yè)生產(chǎn)有一定的借鑒意義。
　　 論文所取得的結(jié)論主要有以下幾點(diǎn):(1)采用電子束蒸發(fā)法來制備出的重?fù)焦枘?dǎo)電性較差,需要進(jìn)一步改善;(2)利用四探針,X射線衍射(XRD),SEM,EDS等表征手段對(duì)薄膜進(jìn)行了表征;(3)利用鋁

4、誘導(dǎo)低溫晶化法對(duì)Si膜進(jìn)行低溫晶化,通過透射光譜和XRD分析,晶化后的透射率較之前有不小的提升,而且導(dǎo)電性有大幅提升;(4)利用實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)的現(xiàn)象,制備出了鋁摻雜硅薄膜,測(cè)試結(jié)果表明,本實(shí)驗(yàn)制備出的Al-Si薄膜的導(dǎo)電性和可見光透射率有良好,具有一定的熱反射特性;(5)制備出了基于Si和Ag的Low-e薄膜,且性能良好,而且Si保護(hù)層能夠起到一定的保護(hù)作用。(6)研究了Si保護(hù)層對(duì)于金屬防腐蝕的能力。分別在Cu和Al薄膜上蒸鍍上了一層Si