自體等離子體輔助電子束蒸鍍技術(shù)研究.pdf

1、本文提出了一種等離子體輔助電子束蒸發(fā)鍍膜的新工藝方法。這種新工藝方法中，通過(guò)在自行設(shè)計(jì)的離化環(huán)與坩堝之間加上直流電壓，使他們之間產(chǎn)生輝光放電，從而金屬蒸氣被離化而得到等離子體?；迳霞由县?fù)偏壓，使等離子體中的離子加速射入基體，薄膜與基體間的結(jié)合強(qiáng)度從而得到提高。
　　文中測(cè)試了不同電極間距及不同蒸發(fā)束流條件下的起輝電壓和維持穩(wěn)定放電的最低電壓，為后續(xù)實(shí)驗(yàn)中放電電壓參數(shù)的選擇提供了依據(jù)。經(jīng)過(guò)分析比較，選擇了電極間距l(xiāng)=50mm作為合

2、適的工藝參數(shù)。經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，離子流隨基板負(fù)偏壓ΔU增大而增大，當(dāng)ΔU在70V及以上變化時(shí)，離子流大小變化不大，基板吸收的離子流達(dá)到飽和。在基板接收的離子流達(dá)到飽和條件下，離子流的大小與電子束束流和放電電壓有關(guān)。進(jìn)行了輝光放電的伏安特性測(cè)試，結(jié)果發(fā)現(xiàn)隨著放電電壓增加，放電電流增加不大，認(rèn)為放電形式為反常輝光放電。進(jìn)行了等離子體發(fā)射光譜測(cè)試，測(cè)試了不同放電電壓下光譜線的強(qiáng)度變化，結(jié)果發(fā)現(xiàn)光譜線強(qiáng)度的變化與相同條件下測(cè)得的離子流變化具有較好的