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1、Y1790652分類號(hào);——UDC:——學(xué)校代號(hào):!Q2豎一密級(jí):——學(xué)號(hào);Q2Q2Q⑨東南大學(xué)碩士學(xué)位論文Ga203:Mn電致發(fā)光薄膜的制備及其特性研究研究生姓名:鱉絲太導(dǎo)師姓名:黃蒸薟熬撞申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別塑學(xué)科專業(yè)名稱邀皇王堂皇固焦皇至皇論文提交日期2鯉壘壘旦!查縣論文答辯日期2叢生2且蘭Z臣學(xué)位授予單位蠢畝太坐學(xué)位授予日期2Q塑生縣旦答辯委員會(huì)主席至!:蠡壅幽評(píng)閱人垂!:紐壘照型掃。承椿‘勃呻勤2005年3月縐曰ABSTRACTWit
2、hthedevelopmentsofelectronicinformation,military,aeronauticandaerospacetechnology,themoredemandsforthedisplaywhichisthemail—machineinterfaceareneedDisplaytechnologywilldevelopgreatinsuchaspectsasfullcolorhighluminescence
3、,hi曲contrast,flatting,lowenergyconsumption,heathandenvironmentprotectingAC(ahematingcurrent)inorganicthin—filmelectroluminescent(TFEL)displaydevice,whichhasmanymeritssuchaSfullsolid,activelight—emissive,wideviewing,rapid
4、respondingandgreatenvironmentadaptability,hasbeengainingmucha“entionEspecially,ACoxidebasedthinfilmelectroluminescentdevice,withgreatthermochemicalstabilitylonglifespan,gooddisplayperformance,willgaingreatapplicationsInt
5、hisdissertation,thedepositionandheat—treatmenttechniqueofGa203:MnphosphorthinfilmusedforTFELdeviceanditsluminescentpropertyhavebeenstudiedThephosphorthinfilmofGa203:MnWasdepositedbyelectronbeamevaporationByrefractiveinde
6、xmeasuringandmicrostructureanalysissuchassuFfacemorphologyandcrystalstructure,therelationsbetweenthemicrostructureandluminescentpropertyofGa20s:MnthinfilmandthedepositionandheattreatmentofGa20s:MnthinfilmWerestudied,thea
7、rtofdepositionandheattreatmentoptimized,themoderateparameterofthedepositionandheat—treatmentofGa203:MnthinfilmdeterminedGa203:MnthinfilmelectroluminescentdevicestakingBaTi03ceranucassubstrate,whichhasbetterluminescentpro
8、perty,weremadeResearchresultsshowthatheat—treatmenttemperaturehasimportanteffectoncrystalstructureandorientationoftheGaze3:Mnt11infilmwiththeheat—treatmenttemperatureincreasing,thecrystallizationofGa203:Mnthinfilmincreas
9、egradually,anditscrystalstructurechargesfromnoncrystallinetopolycrystalline,frommixedcrystalstructurecomposedofmonoclinic,hexagonalandcubiccrystalsystemswhentheheattreatmenttemperatureislowtomonoclinicstructuregradually1
10、11ecolorofthelightemittingfromGa20CVlnTFELdeviceisgreenThemainpeaksoftheemittingspectrumliemainlybetween490nmand535nmWiththeincreasingofdrivingvoltages,theblueshiftofspectralpeaksisobserved111eluminescencepropertyofGas03
11、:Mn刪device,isnotonlyrelatedtothecrystallizationofGa203:MnthinfilmphosphorbutalsodependmainlyonitscrystalstructureandorientationKeywords:Ga203:Mn;thinfilmelectroluminescent;electronbeamevaporation;crystalstructure;surface
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