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文檔簡介
1、山東師范大學碩士學位論文氨化Si基GaOTa薄膜制備一維GaN納米結構研究姓名：李紅申請學位級別：碩士專業(yè)：微電子學與固體電子學指導教師：薛成山20080408山東師范大學碩士學位論文的GaN；氨化溫度、氨化時間和Ta薄膜的厚度都對一維GaN納米結構的結晶質量和形貌產生很大的影響。隨著氨化溫度的升高，GaN納米結構的直徑先減小并有棉絮狀晶體生成，后來直徑又增大且表面趨于相對光滑；納米結構的結晶質量也逐漸提高。其中，退火溫度為1000℃時
2、，樣品的結晶質量和表面形貌最佳。但是，當溫度繼續(xù)升高(高于1000℃)，氮化鎵納米線的數(shù)量會減少并且結晶質量也會下降。從氨化時間上看，10min所得結果相對較好。另外選用不同的中間層厚度，發(fā)現(xiàn)得到的納米結構形貌各異，說明中間層的厚度對一維GaN納米結構的合成也有很大的影響。GaN納米結構的生長機制可初步歸結為氣體一液體一固體(VLS)生長機制，其中高溫下Ta薄膜在高溫下會破裂并會在Si襯底上形成納米液滴，對GaN納米線的生長起到重要作用
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