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文檔簡介
1、在該論文中,我們利用磁控濺射的Al<,2>O<,3>作為緩沖層在Si(111)襯底上制備GaN膜,這首先可以解決以上提到的三個困難;另外,在硅與GaN之間引入一層α-Al<,2>O<,3>絕緣層對于實現(xiàn)硅-絕緣體技術(shù)和三維集成電路有很重要的意義,同時此法所用Al<,2>O<,3>量少,解決了成本高的問題;該文詳細敘述了薄膜的制備過程,探索了薄膜的制備條件和工藝參數(shù)對薄膜的結(jié)晶質(zhì)量和表面形貌的影響,并找出了用此方法制備GaN薄膜的最佳生長
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