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1、該研究課題以氧化煙錫靶和氧化鋅鋁靶為靶材,采用射頻磁控濺射工藝在純氬氣氛中沉積ITO和ZAO薄膜,靶材中SnO<,2>和Al<,2>O<,3>的摻雜比例分別為10﹪和3﹪,成膜過(guò)程中研究了各工藝參數(shù)對(duì)其結(jié)構(gòu)和光電特性的影響.另外采用了在氬和氧的混合氣氛中共濺射鋅靶和鋁靶的方法來(lái)制備鋁摻雜氧化鋅薄膜,鋁的摻雜量由施加在鋁靶上的功率大小決定.雙靶共濺沉積ZAO薄膜時(shí),氧流量和基片溫度是影響薄膜特性的重要因素,隨著鋁靶射頻功率增加,由于鋁的摻
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